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J-GLOBAL ID：200903041371433620

表面プラズモンレーザ構造を有する装置

Inventor： フェデリコ カパッソ ,  アルフレッド イー チョ ,  クライル エフ グマク ,  アルバート リー ハッチンソン ,  デボラ リー シブコ ,  アレッサンドロ トレディカッシ
Applicant, Patent owner： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001046367
Publication number (International publication number)：2001291929
Application date： Feb. 22, 2001
Publication date： Oct. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 DFBデバイスのように極度に厚くなることや製造が技術的に困難になることのない、比較的長波長のレーザを実現する。【解決手段】 表面プラズモンレーザ10は、絶縁リッジ構造として形成された活性領域12とを有するとともに、リッジに沿って活性領域12に隣接して長軸方向に配置された金属表面層24を有する。この構造により、表面プラズモン伝播が形成され、15μmより長波長では、金属内への侵入深さ(すなわち、表皮厚さ)に伴うパワー損失が大幅に低減される。その結果得られる、導波路層の低減された厚さ(従来の厚さ約9μmから、4μm以下に低減される)での大きいモード閉込めΓを利用して、長波長レーザを作成する。金属表面層24は、金属製のグレーティング(周期的)表面構造を有し、これにより、シングルモード発光が可能なDFB表面プラズモンレーザを形成する。

Claim (excerpt)：

上部主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の上部主表面の一部を被覆し、側壁および上面を有するリッジとして形成された活性領域と、前記活性領域の上面の一部を被覆する金属製表面プラズモン伝達層と、前記活性領域の側壁および前記半導体基板の上部主表面の露出領域を被覆する絶縁層と、レーザに電流を流すために前記半導体基板の下部主表面に結合した電気コンタクトとを有する、表面プラズモンレーザ構造を有する装置において、前記表面プラズモンレーザは、シングルモードデバイスを含み、前記金属製表面プラズモン伝達層は、周期的ブラッグ構造を示す分布帰還(DFB)グレーティング構成を有することを特徴とする、表面プラズモンレーザ構造を有する装置。

IPC (5)：

H01S 5/12 ,  G01N 21/01 ,  G01N 21/35 ,  G02B 5/18 ,  H01S 5/343

FI (5)：

H01S 5/12 ,  G01N 21/01 D ,  G01N 21/35 Z ,  G02B 5/18 ,  H01S 5/343