Pat

J-GLOBAL ID：200903041375281477

シリコン単結晶中の酸素析出挙動を割り出す方法、およびシリコン単結晶ウエーハ製造工程の決定方法、並びにシリコン単結晶中の酸素析出挙動を割り出すためのプログラムを記録した記録媒体

Inventor： 竹野 博 ,  相原 健
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997325429
Publication number (International publication number)：1999147789
Application date： Nov. 11, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 初期酸素濃度や熱処理条件等のファクタが分かれば、プログラムされたコンピュータにて数値計算することにより、きわめて短時間で、簡単かつ正確に熱処理中あるいは熱処理後のシリコン中の酸素析出量、内部欠陥密度を割り出すことが出来る方法を提供する。【解決手段】 プログラムされたコンピュータによってシリコン単結晶中の酸素析出挙動を割り出す方法において、シリコン単結晶中の初期酸素濃度と、単結晶中の不純物濃度または抵抗率と、シリコン単結晶に加えられる熱処理条件を入力し、該熱処理後のシリコン単結晶中の酸素析出量、内部欠陥密度を算出する方法。および、この方法によって、各ファクタ依存性を求めておき、これを用いて特定ウエーハ工程中あるいは工程後において所望酸素析出量、内部欠陥密度となるように、用いるシリコン単結晶ウエーハの初期酸素濃度、不純物濃度、抵抗率、結晶熱履歴を決定する方法。

Claim (excerpt)：

プログラムされたコンピュータによってシリコン単結晶中の酸素析出挙動を割り出す方法において、シリコン単結晶中の初期酸素濃度と、単結晶中の不純物濃度または抵抗率と、シリコン単結晶に加えられる熱処理条件を入力し、該熱処理後のシリコン単結晶中の酸素析出量、内部欠陥密度を算出することを特徴とする、シリコン単結晶中の酸素析出挙動を割り出す方法。

IPC (3)：

C30B 29/06 502 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/02

FI (3)：

C30B 29/06 502 H ,  H01L 21/322 Y ,  H01L 21/02 B