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J-GLOBAL ID：200903041378630600

パターン形成方法

Inventor： 渡部 慶二 ,  矢野 映 ,  並木 崇久 ,  五十嵐 美和 ,  倉光 庸子 ,  及川 朗 ,  池田 裕美子
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 宇井 正一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993316822
Publication number (International publication number)：1995168367
Application date： Dec. 16, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 化学増幅系レジストによるパターン形成方法の解像度を向上させること。【構成】 ポジ型化学増幅系レジスト層上に、下記式で表わされる構造単位を有するポリマーを含む層を塗布後、非荷電ビームで露光する。また、アルカリ可溶性ポリビニルフェノールを含むネガ型化学増幅系レジスト層上に、スルホン化ポリアニリンおよびアミン類を含む材料の層を形成し、電離放射線露光後アルカリ現像する。【化1】

Claim (excerpt)：

基板上に化学増幅系ポジ型レジスト層を形成し、その上にスルホ基を有するポリマを含んで成る溶液を塗布し、105°C〜150°Cの温度でベーキングを行って上層膜を形成した後、これに非荷電ビームを露光し、ベーク後、現像液を用いて現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (8)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/11 ,  G03F 7/38 511 ,  G03F 7/40 501 ,  H01L 21/027

FI (3)：

H01L 21/30 541 P ,  H01L 21/30 561 ,  H01L 21/30 573