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J-GLOBAL ID：200903041390045879

InGaAs/InAlAsヘテロ薄膜の成長方法

Inventor： 冷水 佐壽 ,  下村 哲 ,  北田 貴弘 ,  岡本 恭典
Applicant, Patent owner： 冷水 佐壽 ,  下村 哲 ,  北田 貴弘 ,  株式会社クボタ
Agent (1)： 北村 修一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997263686
Publication number (International publication number)：1999102865
Application date： Sep. 29, 1997
Publication date： Apr. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】 InGaAs/InAlAsヘテロ薄膜を成長する場合に、そのInGaAs/InAlAsヘテロ界面の平坦性をより一層向上できる成長方法を提供する。【解決手段】 表面が(411)A面となるInP基板の(411)A面を被結晶成長面として、前記InP基板を成長容器1内に配置し、この成長容器1を減圧後、前記InP基板の基板温度が580°C以下となるように加熱すると共に、In,Ga,Al,Asの単体又は化合物を供給して前記InP基板上にエピタキシャル成長させて、前記InP基板の(411)A面上にInx Ga1-x As/Iny Al1-y Asヘテロ薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

表面が(411)A面となるInP基板の(411)A面を被結晶成長面として、前記InP基板を成長容器内に配置し、この成長容器を減圧後、前記InP基板の基板温度が580°C以下となるように加熱すると共に、In,Ga,Al,Asの単体又は化合物を供給して前記InP基板上にエピタキシャル成長させて、前記InP基板の(411)A面上にInx Ga1-x As/Iny Al1-y Asヘテロ薄膜を形成するInGaAs/InAlAsヘテロ薄膜の成長方法。

IPC (2)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/203

FI (2)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/203 M