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J-GLOBAL ID:200903041396533930

小型電源装置、その製造方法及び小型電源装置を搭載した半導体集積回路装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 前田 弘 (外7名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000279919
Publication number (International publication number):2002094105
Application date: Sep. 14, 2000
Publication date: Mar. 29, 2002
Summary:
【要約】【課題】 半導体集積回路用の受光型電源装置を入射光が遮断されても電力供給が直ちに途絶えないようにし、また、入射光がなくても電力供給を行なえるようにする。【解決手段】 n型シリコンからなる半導体基板10の上部には、p型領域11が設けられている。半導体基板10上には、膜厚が1μm程度の酸化シリコンからなる絶縁膜12が形成されており、絶縁膜12上にはp型領域11を露出する開口部を介してアルミニウムからなるp側電極13が形成されている。絶縁膜12及びp側電極13上には、膜厚が約1μmの窒化シリコンからなるパッシベーション膜14が形成され、該パッシベーション膜14上には、発光波長が半導体基板10を構成するシリコンのエネルギーギャップに相当する波長よりも短い発光光を発し且つ蓄光性を有する蛍光体材料を含む発光層15が形成されている。
Claim (excerpt):
pn接合面を持つp型領域とn型領域とを有する半導体基板と、前記半導体基板の上に形成され、発光波長が前記半導体基板のエネルギーギャップに相当する波長よりも短い発光光を発し且つ蓄光性を有する蛍光体材料を含む発光層と、前記p型領域と電気的に接続されたp側電極、及び前記n型領域と電気的に接続されたn側電極とを備えていることを特徴とする小型電源装置。
IPC (2):
H01L 31/052 ,  C09K 11/64 CPM
FI (2):
C09K 11/64 CPM ,  H01L 31/04 G
F-Term (16):
4H001CA02 ,  4H001XA08 ,  4H001XA13 ,  4H001XA38 ,  4H001YA66 ,  4H001YA68 ,  5F051AA02 ,  5F051AA16 ,  5F051BA05 ,  5F051BA11 ,  5F051CB12 ,  5F051CB21 ,  5F051DA03 ,  5F051FA06 ,  5F051HA13 ,  5F051JA20

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