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J-GLOBAL ID：200903041397399544

半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 島 顕洋
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993179315
Publication number (International publication number)：1995038194
Application date： Jul. 20, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 量子効果の優れた量子細線,及び量子箱を備えた半導体レーザを得る。【構成】 GaInPまたはAlGaInPからなる活性層4を、{100}面に対する傾きが所定角度以下である第1の結晶面と、この両側に配置される{100}面に対する傾きの角度が上記第1の結晶面の{100}面に対する傾きの角度よりも大きい第1の結晶面とを有する第1導電型半導体層3上に、{100}面上に成長させた場合に結晶を構成する原子が規則正しく配列されたオーダリング状態で結晶成長し、{100}面に対し傾きを有する面上に成長させた場合に原子の配列の規則性が乱れたディスオーダリング状態で結晶成長する成長条件で結晶成長した構成とした。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体基板の第1の主面上に順次結晶成長された第1導電型半導体層,該第1導電型半導体層よりもバンドギャップの小さい材料からなる活性層,及び該活性層の構成材料よりもバンドギャップの大きい第2導電型半導体層を有する半導体レーザにおいて、上記第1導電型半導体層は、その上に配置される上記活性層が量子細線となる第1の結晶面と、その両側に配置される第2の結晶面とを備えたものであり、上記第1の結晶面は{100}面に対する傾きが所定角度以下の面であり、上記第2の結晶面は{100}面に対する傾きの角度が上記第1の結晶面の{100}面に対する傾きの角度よりも大きい面であり、上記活性層は、{100}面上に成長させた場合に結晶を構成する原子が規則正しく配列されたオーダリング状態で結晶成長し、{100}面に対し傾きを有する面上に成長させた場合に原子の配列の規則性が乱れたディスオーダリング状態で結晶成長する成長条件で結晶成長されたGaInPまたはAlGaInPからなる結晶薄膜であることを特徴とする半導体レーザ。