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J-GLOBAL ID：200903041398040574

多室型基板処理装置

Inventor： 石幡 彰 ,  大嶺 俊光 ,  佐藤 裕輔 ,  宇井 明生
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 保男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992071636
Publication number (International publication number)：1993275519
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ハンドラ室に位置している時の基板を良好に保ち、高品質な薄膜を気相成長させることができる多室型基板処理装置を提供することを目的としている。【構成】 ロード・アンロード・チャンバ8、エッチングチャンバ9、オリフラチャンバ10、薄膜形成チャンバ11、測定チャンバ12が接続されているハンドラ室2内の上部に配設したノズル16から、ハンドラ室2内にパージガスを供給し、排気口17より排気することにより、ハンドラ室2内を常にクリーンにして基板15に粉塵等が付着することを防止することができる。

Claim (excerpt)：

複数の処理室が接続されたハンドラ室を備え、前記ハンドラ室を介して前記各処理室に基板の出入れを行って基板処理を実行する多室型基板処理装置において、前記ハンドラ室内にパージガスを供給する供給手段と、該供給手段によって前記ハンドラ室内に供給されたパージガスを排気する排気手段とを具備したことを特徴とする多室型基板処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-104036
  
• 特開昭62-181440
  
• 特開平3-190260