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J-GLOBAL ID：200903041408160794

超伝導セラミツクス及びその作製方法

Inventor： 大谷 久
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991261071
Publication number (International publication number)：1993017156
Application date： Sep. 11, 1991
Publication date： Jan. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 より臨界温度の高い超伝導材料を得る。【構成】 従来の銅系の酸化物超伝導材料に代わる物として、遷移金属材料としてバナジウムを含む、ペロブスカイト類似型の層状構造を有する材料において、超伝導性を発現せしめる。

Claim (excerpt)：

一般式(A1-x Bx )y Vz Ow ,(但しx=0〜1.0,y=1.0〜3.0,z=1.0〜3.0,w=2.0〜10.0を有し、AはLi(リチウム),Na(ナトリウム),K(カリウム),Rb(ルビジウム),Cs(セシウム),Y(イットリウム),La(ランタン),Ce(セリウム),Pr(プラセオジム),Nd(ネオジム),Pm(プロメチウム),Sm(サマリウム),Eu(ユウロピウム),Gd(ガドリニウム),Tb(テルビウム),Dy(ジスプロシウム),Ho(ホルミウム),Er(エルビウム),Tm(ツリウム),Yb(イッテルビウム),Lu(ルテチウム),Ag(銀),Cd(カドミウム),In(インジウム),Sn(スズ),Hg(水銀),Tl(タリウム),Pb(鉛),Bi(ビスマス),より選ばれた1種類もしくは2種類以上の元素の組み合わせより成り、BはBe(ベリリウム),Mg(マグネシウム),Ca(カルシウム),Sr(ストロンチウム),Ba(バリウム),より選ばれた1種類もしくは2種類以上の元素の組み合わせより成ることを特徴とする超伝導セラミックス。

IPC (7)：

C01G 31/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C04B 35/00 ZAA ,  C30B 29/30 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA