Pat

J-GLOBAL ID：200903041423847011

半導体素子の封止構造

Inventor： 根本 和彦 ,  松田 修 ,  小林 俊雅 ,  土居 正人
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994340158
Publication number (International publication number)：1996186327
Application date： Dec. 29, 1994
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 表側に光を出射し、且つ被照射部からの戻り光を入射させるCLCデバイスの光結合素子を用いた半導体素子の表側からの放熱を可能にする。【構成】 発光部と受光部が共通の基板上に近接して配置され、発光部から出射された出射光の被照射部からの戻り光が受光部によって共焦点位置近傍で受光検出されるようにして成る光結合素子51と、透明ヒートシンクによりなるパッケージ窓部32を有し、このパッケージ窓部32が光結合素子51の光が出力される表側に貼り合わされて構成する。

Claim (excerpt)：

発光部と受光部が共通の基板上に近接して配置され、前記発光部から出射された出射光の被照射部からの戻り光が前記受光部によって共焦点位置近傍で受光検出されるようにして成る光結合素子と、透明ヒートシンクよりなるパッケージ窓部とを有する半導体素子の封止構造。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-133213   Applicant：松下電子工業株式会社
• 特開昭63-211778
  
• 特開平2-196476
  

Cited by examiner (3)

• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-133213   Applicant：松下電子工業株式会社
• 特開昭63-211778
  
• 特開平2-196476