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J-GLOBAL ID：200903041428787580

薄膜太陽電池の製造方法

Inventor： 西岡 孝 ,  山田 巧 ,  川上 剛司 ,  山田 武 ,  中田 穣治
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 吉田 精孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996239445
Publication number (International publication number)：1998093122
Application date： Sep. 10, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 シリコンの使用量が少なくかつ一定の光電変換効率を有する薄膜太陽電池を安価に製造し得る方法を提供すること。【解決手段】 単結晶もしくは粒径が著しく大なる多結晶のインゴットあるいはウェハからなるSi基板1に水素(H)イオン2の注入を行い、その上に第2の基板3を接着し、さらに適度な熱処理を施すことにより、Hイオンの注入部位においてSi基板1より所望の厚さの薄膜Si結晶4を剥離させ、これを太陽電池素子を構成する主要な材料もしくはその一部とする。

Claim (excerpt)：

シリコン基板の主面にイオン注入を行う工程と、該シリコン基板の主面上の少なくとも一部に第2の基板を接着する工程と、前記シリコン基板及び第2の基板からなる構成物を熱処理する工程と、前記シリコン基板からの剥離により、7μm以上の厚さの薄膜シリコン結晶を前記第2の基板上に獲得する工程とからなることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。

IPC (4)：

H01L 31/04 ,  C30B 29/06 ,  C30B 31/22 ,  H01L 21/265

FI (4)：

H01L 31/04 X ,  C30B 29/06 C ,  C30B 31/22 ,  H01L 21/265 Q