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J-GLOBAL ID：200903041435557043

電子デバイス

Inventor： 荻野 慎次 ,  漆谷 多二男
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994102173
Publication number (International publication number)：1995288243
Application date： Apr. 15, 1994
Publication date： Oct. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】良好な結晶表面のシリコンカーバイド基板を備えた電子デバイスを得る。【構成】シリコンカーバイド基板を酸化シリコン,酸化アルミニウム,酸化クロムの群から選ばれた少なくとも一つを分散し、且つpHがアルカリ性の調製された懸濁液を用いて表面を湿式研磨する。

Claim (excerpt)：

シリコンカーバイド基板を用いる電子デバイスであって、(1)シリコンカーバイド基板と、(2)成長膜とを有し、シリコンカーバイド基板は酸化シリコンSiO2,酸化アルミニウムAl2O3 ,酸化クロムCr2 O3の群から選ばれた少なくとも一つを分散し、且つpHがアルカリ性に調整された懸濁液を用いて表面を湿式研磨してなり、成長膜はシリコンカーバイド基板上に成長してなる膜であることを特徴とする電子デバイス。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  C30B 25/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置作製用SiC単結晶基板とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-357053   Applicant：株式会社豊田中央研究所
• 特開昭56-055052
  
• 特開平4-207029
  
• 特開平1-265203