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J-GLOBAL ID：200903041437170421
半導体不揮発性記憶素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
森 哲也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991323285
Publication number (International publication number)：1993160412
Application date： Dec. 06, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：
【要約】【目的】ゲート絶縁膜の膜厚制御性が向上し、製造が容易な半導体不揮発性記憶素子を提供する。【構成】半導体基板1に形成されるチャネル領域上に、半導体基板1側から順に、酸化硅素からなる下層絶縁膜2、窒化硅素からなる中間絶縁膜3、酸化硅素からなり、下層絶縁膜2より厚い膜厚の上層絶縁膜4からなる多層ゲート絶縁膜9を介して、ゲート電極6を形成した。
Claim (excerpt)：
半導体基板に形成されるチャネル領域上に、当該半導体基板側から順に、下層絶縁膜、中間絶縁膜、上層絶縁膜を形成した三層構造を有する多層ゲート絶縁膜を介して、ゲート電極を形成した半導体不揮発性記憶素子において、前記上層絶縁膜と下層絶縁膜は、同一物質からなり、当該下層絶縁膜の膜厚は、上層絶縁膜の膜厚より厚いことを特徴とする半導体不揮発性記憶素子。
IPC (2)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
