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J-GLOBAL ID：200903041437222995
半導体受光装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993137051
Publication number (International publication number)：1994347671
Application date： Jun. 08, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】本発明は、光軸の調整を不要にし、工数の低減を図り、かつ組立の自動化に対応しうる高反射減衰量特性の半導体受光装置を提供する。【構成】半導体受光素子、光ファイバ、及び半導体受光素子と光ファイバとを光学結合させる凹面鏡を有し、凹面鏡の中心軸に対してずれた位置に光ファイバの出射端が位置し、光ファイバの出射端から放射された光ビームが凹面鏡で反射して集光・結像する位置に半導体受光素子を配置し、半導体受光素子の受光面への入射光は凹面鏡外に反射されるように受光面の向きが定められ、光ファイバに戻る光を抑制して、高反射減衰量特性を得ることができる。
Claim (excerpt)：
半導体受光素子、光ファイバ、及び前記半導体受光素子と前記光ファイバとを光学結合させる凹面鏡を有し、前記凹面鏡の中心軸(光軸)からずれた位置に前記光ファイバの出射端が位置し、前記光ファイバの出射端から放射された光ビームが前記凹面鏡で反射して集光・結像する位置に前記半導体受光素子が位置し、前記凹面鏡の光軸と前記半導体受光素子の光軸が平行であることを特徴とする半導体受光装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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