Pat

J-GLOBAL ID：200903041439211133

高熱負荷に適応する閉鎖型電子ドリフトプラズマスラスタ

Inventor： ドミニク バレンティアン ,  ジャン-ピエール ブジェア ,  エリク クリンゲル
Applicant, Patent owner： ソシエテ・ナシオナル・デテユード・エ・ドウ・コンストリユクシオン・ドウ・モトール・ダヴイアシオン、“エス.エヌ.ウ.セ.エム.アー.”
Agent (1)： 石田 敬 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999237202
Publication number (International publication number)：2000073937
Application date： Aug. 24, 1999
Publication date： Mar. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高熱負荷に適応する閉鎖型電子ドリフトプラズマスラスタの提供。【解決手段】 閉鎖型電子ドリフトプラズマスラスタが、磁気回路を使用し、イオン化及び加速のためのメインアニュラチャンネルに磁場を発生する。前記磁気回路は、ほぼ半径方向の第1外側ポール部材と、円錐形の第2外側ポール部材と、ほぼ半径方向の第1内側ポール部材と、円錐形の第2内側ポール部材と、第1及び第2の外側ポール部材を相互に連結する、外側コイルによって包囲された、複数の外側磁気コアと、第1内側コイルによって包囲され、第1内側ポール部材に接続される軸磁気コアと、外側コイルの上流側に配置された第2内側コイルとを有する。このスラスタは又、磁気回路に含まれる複数の半径方向のアームと、磁気回路と分離されていて、特に、コイルを冷却するように機能する構造ベースを有している。

Claim (excerpt)：

高熱負荷に適応する閉鎖型電子ドリフトプラズマスラスタであって、該スラスタが、保温材で製造された部品(122)によって形成され、下流端(125a)で開放されている、イオン化及び加速のためのメインアニュラチャンネル(124)と、メインアニュラチャンネルの下流部分に隣接してメインアニュラチャンネル(124)の外側に配設される少なくとも1つのホローカソード(140)と、メインアニュラチャンネル(124)と同心で、開放された下流端(125a)から所定の距離に配設されるアニュラアノード(125)と、アニュラアノード(125)にイオン化ガスを供給するパイプ(126)及び分配マニホールド(127)と、メインアニュラチャンネル(124)に磁場を発生する磁気回路と、を有し、更に、前記磁気回路が、・ほぼ半径方向の第1外側ポール部材(134)と、・円錐形の第2外側ポール部材(311)と、・ほぼ半径方向の第1内側ポール部材(135)と、・円錐形の第2内側ポール部材(351)と、・第1及び第2の外側ポール部材(134、311)を相互に連結する、外側コイル(131)によって包囲された、複数の外側磁気コア(137)と、・第1内側コイル(133)によって包囲され、第1内側ポール部材(135)に接続される軸磁気コア(138)と、・外側コイル(131)の上流側に配置された第2内側コイル(132)と、を有することを特徴とするスラスタ。