Pat
J-GLOBAL ID:200903041446877228
液晶表示装置の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
西野 卓嗣
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993251768
Publication number (International publication number):1995104316
Application date: Oct. 07, 1993
Publication date: Apr. 21, 1995
Summary:
【要約】【目的】 陽極酸化AlゲートTFTを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、陽極酸化後に不要になった電圧供給ラインを除去する際、静電気の発生によりTFTの特性が劣化するのを防ぐ。【構成】電圧供給配線(L,PD)及び切断部(E)の除去を、エッチングで行うことにより上記目的を達成する。あらかじめ、所定の部分にレジスト膜被覆による陽極酸化防止、及び、対応するゲート絶縁膜の穴あけを行っておき、ソース・ドレイン配線材料(22)のパターニング時に、同時にエッチングすることにより工程の増加は不要になる。
Claim (excerpt):
基板上にAlまたはAlを主成分とする第1の導電層を形成する工程と、該第1の導電層をパターニングすることにより、ゲート配線、及び陽極酸化用の電圧供給配線を形成する工程と、前記ゲート配線の所定の領域を陽極酸化することにより、表面にAl2O3膜を形成する工程と、全面に絶縁層と非単結晶半導体層を順次形成する工程と、該非単結晶半導体層をパターニングする工程と、全面にAlまたはAlを主成分とする第2の導電層を形成する工程と、該第2の導電層をフォトエッチでパターニングすることにより、ソース・ドレイン配線を形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法において、前記第2の導電層をフォトエッチでパターニングする際、前記電圧供給配線の所定の部分をエッチング除去することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
IPC (3):
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 29/786
Patent cited by the Patent: