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J-GLOBAL ID：200903041451728290

光半導体装置

Inventor： 国井 秀雄 ,  高田 清 ,  落合 公 ,  井野口 浩 ,  石川 勉 ,  関口 智 ,  小堀 浩
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998305818
Publication number (International publication number)：2000133822
Application date： Oct. 27, 1998
Publication date： May. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】 発光素子や受光素子の外形をできる限り薄くし、これを組み込んだモジュールやセットに於いても小型化を可能とする。【解決手段】 発光素子、受光素子として半導体チップ21があり、これらを封止する樹脂封止体24は、光に対して透明となる材料で成る。また光が素子から発光される領域上、光が素子に入射される領域上には、凹部25が形成され、ここに反射面26を構成する。その結果光は側面Eを介して、射出・入射が可能となる。側面の形状によって、広い感度領域を有する。

Claim (excerpt)：

受光素子もしくは/及び発光素子を有する半導体チップと、前記半導体チップを封止する、少なくとも所定波長の光に対して透明な封止体とを有し、前記封止体は、前記半導体チップの上方に円筒部を有し、前記封止体の円筒部上に設けられる凹部と、前記凹部に、前記受光素子の受光面もしくは前記発光素子の発光面の垂線と所定の角度で交差する反射面とを有し、前記受光素子に入射する、もしくは前記発光素子から発射する光の少なくとも一部の光路は、前記円筒部に入射、もしくは前記円筒部から発射し、前記封止体内を通過し、前記反射面で反射される光半導体装置。

IPC (2)：

H01L 31/0232 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 31/02 C ,  H01L 33/00 M

F-Term (29)：

5F041AA04 ,  5F041AA06 ,  5F041AA14 ,  5F041AA31 ,  5F041AA47 ,  5F041CB32 ,  5F041CB33 ,  5F041DA17 ,  5F041DA44 ,  5F041DA57 ,  5F041DA83 ,  5F041FF14 ,  5F088AA03 ,  5F088BA01 ,  5F088BA03 ,  5F088BA15 ,  5F088BA20 ,  5F088BB01 ,  5F088CB06 ,  5F088CB07 ,  5F088CB20 ,  5F088EA07 ,  5F088EA09 ,  5F088JA02 ,  5F088JA06 ,  5F088JA20 ,  5F088KA01 ,  5F088KA02 ,  5F088LA01