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J-GLOBAL ID：200903041459861673

偏光解析方法

Inventor： 菊池 俊彦
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002040506
Publication number (International publication number)：2003243467
Application date： Feb. 18, 2002
Publication date： Aug. 29, 2003
Summary：

【要約】【課題】 多層配線上に形成された膜の膜厚測定及び断面形状測定を、非破壊かつ高スループットで行うことのできる偏光解析方法を提供する。【解決手段】 酸化膜301の下層には、金属配線302と層間絶縁膜303からなるB層と、金属配線302と直交する方向に形成された金属配線304と層間絶縁膜305からなるD層との多層配線が形成されている。入射光のうちのs偏光成分は、B層界面で反射され、p偏光成分はD層界面で反射されるとして、それぞれの振幅反射率Rs ,Rp を算出し、s偏光成分とp偏光成分の振幅比Ψと位相差Δの関数であるtan Ψとcos Δを算出して基準データを得、この基準データに基づいて酸化膜301の膜厚(tA )を求める。

Claim (excerpt)：

測定対象の膜を表面に有する被測定物に所定波長の楕円偏光状態の入射光を所定入射角で照射した時に、前記被測定物から反射する反射光のp偏光成分とs偏光成分の位相差(Δ)に基づく値及び振幅比(Ψ)に基づく値を理論計算により求めて基準データを得るとともに、実際に前記被測定物に前記入射光を照射した時に反射する反射光のp偏光成分とs偏光成分の位相差(Δ)に基づく値及び振幅比(Ψ)に基づく値を測定によって求めて、前記基準データと比較することにより、前記膜の解析を行う偏光解析方法において、前記基準データを得る際に、前記p偏光成分の反射面と、前記s偏光成分の反射面とを異ならせて前記理論計算を行うことを特徴とする偏光解析方法。

IPC (4)：

H01L 21/66 ,  G01B 11/06 ,  G01B 11/24 ,  G01N 21/21

FI (4)：

H01L 21/66 P ,  G01B 11/06 Z ,  G01N 21/21 Z ,  G01B 11/24 Z

F-Term (36)：

2F065AA30 ,  2F065AA52 ,  2F065BB13 ,  2F065BB17 ,  2F065CC17 ,  2F065FF49 ,  2F065FF51 ,  2F065HH08 ,  2F065HH12 ,  2F065JJ01 ,  2F065JJ08 ,  2F065LL33 ,  2F065LL34 ,  2F065LL67 ,  2G059AA02 ,  2G059AA03 ,  2G059BB08 ,  2G059BB16 ,  2G059EE02 ,  2G059EE05 ,  2G059EE09 ,  2G059EE11 ,  2G059EE12 ,  2G059GG04 ,  2G059GG10 ,  2G059JJ01 ,  2G059JJ19 ,  2G059KK01 ,  2G059MM01 ,  2G059MM05 ,  4M106AA01 ,  4M106BA06 ,  4M106CA48 ,  4M106CA51 ,  4M106CA70 ,  4M106DJ20