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J-GLOBAL ID:200903041484593837

積層配線のドライエッチング方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高橋 光男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994056164
Publication number (International publication number):1995263425
Application date: Mar. 25, 1994
Publication date: Oct. 13, 1995
Summary:
【要約】【目的】 W層上にAl系金属層が形成された、マイグレーション耐性に優れた積層配線を、無機材料系マスクを用いて残渣やパーティクル汚染の発生を伴わずに異方性エッチングする。【構成】 Al系金属層5を塩化イオウ系ガスでエッチング後、この後高融点金属層4をフッ化イオウ系ガスに切り替えてパターニングする。N2 等N系ガスを添加してもよい。【効果】 イオウまたはポリチアジルからなる側壁保護膜10を形成しながらエッチングするので、パターン側面をラジカルの攻撃から保護でき、サイドエッチングが防止される。エッチング終了後は被エッチング基板を加熱すれば側壁保護膜10は痕跡を残さず昇華除去できる。このため、パーティクル汚染の虞れはない。
Claim (excerpt):
高融点金属層上にAl系金属層が形成された構造を含む積層配線を、無機材料系マスクを用いてパターニングするドライエッチング方法において、該Al系金属層を塩化イオウ系ガスを含むガスでエッチング後、前記高融点金属層をフッ化イオウ系ガスを含むガスによりエッチングすることを特徴とする、積層配線のドライエッチング方法。
IPC (4):
H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/3205
FI (3):
H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 N

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