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J-GLOBAL ID:200903041489551164

半導体装置におけるバンプ補強構造およびその形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山下 穣平
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999104212
Publication number (International publication number):2000208547
Application date: Apr. 12, 1999
Publication date: Jul. 28, 2000
Summary:
【要約】【課題】 実装後の接続信頼性が高く、しかも、どのような半田バンプの配置でも、十分な補強が可能であり、その補強構造の形成が容易に行え、製造コストを低減できる、半導体装置におけるバンプ補強構造およびその形成方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の外部端子用パッドの配置に合わせて貫通孔を形成した補強用樹脂シートを、前記パッドのある半導体装置基板表面に接着し、前記貫通孔を介して、前記パッド上に半田バンプを構成していることを特徴とする。
Claim (excerpt):
半導体装置の外部端子用パッドの配置に合わせて貫通孔を形成した補強用樹脂シートを、前記パッドのある半導体装置基板表面に接着し、前記貫通孔を介して、前記パッド上に半田バンプを構成していることを特徴とする、半導体装置におけるバンプ補強構造。
IPC (2):
H01L 21/60 ,  H01L 23/12
FI (3):
H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 604 H ,  H01L 23/12 L
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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