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J-GLOBAL ID：200903041521248789

半導体装置の測定システム及びその測定方法

Inventor： 大竹 大介
Applicant, Patent owner： 日本鋼管株式会社
Agent (1)： 長谷川 和音
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996111507
Publication number (International publication number)：1997298222
Application date： May. 02, 1996
Publication date： Nov. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、電源端子側の電位が共通となっている単一のシリコンウエハ上の複数半導体デバイスを迅速に高い精度で測定する測定システム及びその方法を提供することを目的とする。【解決手段】 単一のシリコンウエハ上に形成され共通の電源端子6と複数の接地端子7をもつ複数のデバイス13に、電圧を印可し流れる電流値を測定する測定システムであって、電源端子に電圧を印可する複数の電源部3と、複数の接地電位に他端がそれぞれ独立して接続されデバイスの電流値をそれぞれ測定する複数の測定手段と、を有することを特徴とする測定システム。

Claim (excerpt)：

単一のシリコンウエハ上に形成され共通の電源端子と複数の接地端子をもつ複数のデバイスに、電圧を印可し電気特性を測定する測定システムにおいて、前記電源端子に電圧を印可する複数の電源手段;と、前記電源手段の他端に一端が接続され、前記複数の接地電位に他端がそれぞれ独立して接続され、前記デバイスの電気特性をそれぞれ測定する複数の測定手段;と、を有することを特徴とする測定システム。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/26 ,  G01R 31/28

FI (3)：

H01L 21/66 B ,  G01R 31/26 G ,  G01R 31/28 Y