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J-GLOBAL ID：200903041538030515

シリコン酸化膜の製造方法と製造装置

Inventor： 清水 紀嘉
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992053023
Publication number (International publication number)：1993259153
Application date： Mar. 12, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 シリコン酸化膜の形成に関し、絶縁破壊強度が高くて良質な酸化膜の製造方法と製造装置を提供することを目的とする。【構成】 排気系(2)を備えた装置内のヒータ部(34)上に載置してあるシリコン基板(5)に対向して、絶縁物よりなる放電管(9),(9 ́) とその外周に高周波コイル(10),(10 ́)を備えた水素ラジカル源(7)および酸素ラジカル源(8)があり、処理室(1)を真空排気しながら、先ず、水素ラジカル源(7)に水素ガスを導入しつゝ、高周波電力をプラズマがピンチするまで増加して中性の水素ラジカル・原子を発生せしめ、水素ラジカル・原子を真空中で加熱してあるシリコン基板(5)に噴射してシリコン基板(5)を還元して清浄化した後、酸素ラジカル源(8)に酸素ガスを導入しつゝ、高周波電力をプラズマがピンチするまで増加して中性の酸素ラジカル・原子を発生せしめ、酸素ラジカル・原子を真空中で加熱してあるシリコン基板(5)に照射してシリコン基板(5)を酸化させることを特徴としてシリコン酸化膜の製造方法を構成する。

Claim (excerpt)：

排気系(2)を備えた装置内のヒータ部(34)上に載置してあるシリコン基板(5)に対向して、絶縁物よりなる放電管(9),(9 ́) とその外周に高周波コイル(10),(10 ́)を備えた水素ラジカル源(7)および酸素ラジカル源(8)があり、処理室(1)を真空排気しながら、先ず、水素ラジカル源(7)に水素ガスを導入しつゝ、高周波電力をプラズマがピンチするまで増加して中性の水素ラジカル・原子を発生せしめ、該水素ラジカル・原子を真空中で加熱してあるシリコン基板(5)に噴射して該シリコン基板(5)を還元して清浄化した後、酸素ラジカル源(8)に酸素ガスを導入しつゝ、高周波電力をプラズマがピンチするまで増加して中性の酸素ラジカル・原子を発生せしめ、該酸素ラジカル・原子を真空中で加熱してあるシリコン基板(5)に照射して該シリコン基板(5)を酸化させることを特徴とするシリコン酸化膜の製造方法。