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J-GLOBAL ID：200903041545295800

半導体製造装置、半導体製造装置のチャンバ、半導体製造装置のチャンバ再生方法

Inventor： 鈴木 彰 ,  西澤 孝則 ,  中村 貴之 ,  宇尾 康弘
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001232482
Publication number (International publication number)：2003059904
Application date： Jul. 31, 2001
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】 チャンバ構成部品の消耗、及びチャンバ内に生じる金属汚染やパーティクルを低減することができる半導体製造装置、半導体製造装置のチャンバ、半導体製造装置のチャンバ再生方法を提供する。【解決手段】 エッチング装置1は、下部チャンバ本体2、上部チャンバ本体3及びドーム4からなるチャンバ5を有している。このチャンバ5内には、エッチング処理すべきウェハWを支持するウェハステージ6が配置されている。ドーム4の外周にはコイルアンテナ13が設けられている。このコイルアンテナ13には、高周波整合器14を介してソース高周波電源15が接続されている。ウェハステージ6には、高周波整合器16を介してバイアス高周波電源17が接続されている。チャンバ5におけるプラズマ生成領域Pに対応する部位であるドーム4の内壁面には、Y2O3からなる皮膜層18が形成されている。

Claim (excerpt)：

内部に基板が配置されるチャンバと、前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備えた半導体製造装置であって、前記チャンバの内壁面には、Y2O3を含む物質からなる皮膜層が設けられている半導体製造装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 648

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/304 648 E ,  H01L 21/302 B

F-Term (19)：

5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB29 ,  5F004BC06 ,  5F004BC08 ,  5F004CA05 ,  5F004CA06 ,  5F004EA10 ,  5F045AA08 ,  5F045BB15 ,  5F045DP04 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EB06 ,  5F045EC01 ,  5F045EC05 ,  5F045EM10