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J-GLOBAL ID：200903041550440150

半導体素子

Inventor： 榊原 勝利
Applicant, Patent owner： 光計測技術開発株式会社
Agent (1)： 井出 直孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991045991
Publication number (International publication number)：1995015026
Application date： Feb. 19, 1991
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 p型InP層と金属電極との接触抵抗を小さくする。【構成】 p型InP層2と金属電極4との間に混晶比xがほぼ0.47から0まで段階的に変化するp型のGax In1-x Asコンタクト層3を備える。

Claim (excerpt)：

p型InP層と、このp型InP層に電気的に接続される金属電極とを備えた半導体素子において、前記p型InP層と前記金属電極との間に、前記p型InP層から前記金属電極に向かって混晶比xがほぼ0.47から0まで段階的に変化するp型のGax In1-x Asコンタクト層を備えたことを特徴とする半導体素子。

IPC (3)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 31/04

FI (3)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/04 E ,  H01L 31/10 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-199825
  
• 特開昭62-062566