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J-GLOBAL ID：200903041551247795

平坦化方法と平坦化素子

Inventor： 石原 伸一郎
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993114456
Publication number (International publication number)：1994326130
Application date： May. 17, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ゲート抵抗が小さく段差が無いガラス基板を提供することを目的とする。【構成】 レジスト107をマスクとして絶縁膜106をエッチングするとゲートパターンと絶縁膜はほぼ同一面で平坦化される。ゲート端に隙間が発生する場合が考えられるが、アルミを陽極酸化すると、セルフアラインで隙間を陽極酸化膜が埋めてくれる。ITO先付けの場合は、レジスト露光の光をITOが吸収する波長に選べば、ITO部分のSiNxをも取り除くことができ、絵素開口と同等の効果が得られる。

Claim (excerpt)：

ガラス基板に導電性薄膜を形成する工程、前記導電体を微細加工する工程、前記導電性薄膜とほぼ同一の膜厚を持つ透明絶縁性薄膜を形成する工程、ネガレジストを全面に被覆する工程、前記ガラス基板の裏面から前記レジストを露光現像する工程を含み、前記導電性薄膜上の前記絶縁薄膜を選択的にエッチングすることを特徴とする平坦化方法。

IPC (5)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 21/88 K ,  H01L 29/78 311 G