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J-GLOBAL ID：200903041574187340

電磁波遮蔽体

Inventor： 中井 日出海 ,  荻野 悦男 ,  角 俊雄
Applicant, Patent owner： 日本板硝子株式会社
Agent (1)： 土屋 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992333696
Publication number (International publication number)：1994164186
Application date： Nov. 19, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 優れた電磁波遮蔽性能と高い可視光線透過率との両立を図るとともに、低コストの単板の電磁波遮蔽体を提供する。【構成】 透明誘電体層11と銀層12とをこの順序で交互に透明基体10上に形成して多層膜が構成されている。そして、この多層膜上には、酸化シリコン、酸窒化シリコン及び窒化シリコンのうちの何れかの膜13が形成されている。そして、この膜13は、1μm乃至20μmの範囲内の膜厚で形成されている。この膜13の形成は、反応ガス供給後の反応室の真空度が10Pa以下であって、且つ電子の数密度が1011/cm3 以上のアーク放電プラズマ中の化学的気相合成法で形成されている。この膜13は銀層12に対して極めて優れた保護膜として作用するため、単板で使用可能な耐久性を有する電磁波遮蔽体を得ることが出来る。

Claim (excerpt)：

透明基体と、この透明基体上に、透明誘電体層と銀層とがこの順序で交互に積層されて構成されている多層膜と、この多層膜上に形成され、酸化シリコン、酸窒化シリコン及び窒化シリコンのうちの何れかの膜であって且つ1μm乃至20μmの範囲の膜厚を有する膜とを備えてなり、この膜は、反応ガス供給後の雰囲気の圧力が10Pa以下であって、且つ電子の数密度が1011/cm3 以上のアーク放電プラズマ中における化学的気相合成法で形成された膜であることを特徴とする電磁波遮蔽体。

IPC (4)：

H05K 9/00 ,  B32B 9/00 ,  B32B 15/04 ,  C23C 16/30