Pat

J-GLOBAL ID：200903041577845291

アクティブマトリクス液晶表示素子

Inventor： 鵜飼 育弘 ,  砂田 富久 ,  中川 卓宣
Applicant, Patent owner： ホシデン株式会社
Agent (1)： 草野 卓 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993207581
Publication number (International publication number)：1995056160
Application date： Aug. 23, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 製造プロセス数を削減すると共に画素の開口率を向上させる。【構成】 TFTアレイ基板8Aでは、各ライトシールド9より一体に延長されて、そのライトシールドにより遮蔽されるTFT部20に対応する画素電極12の周縁を囲むように、ブラックマトリクス4が同時に形成される。全てのライトシールド9及びブラックマトリクス4を互いに延長させて1個又は複数個につなげてライトシールド・ブラックマトリクス共用パターン21とし、これを金属製とし、その表面に陽極酸化膜23を形成することもできる。その場合、ブラックマトリクス4は画素電極12と設計上Δ1 だけ重ねるが、ソースバス11とはΔ2 のギャップを設けて容量を小さくすると共に、ギャップΔ2 及びソースバス11での光漏れを防ぐため遮光層18をゲート電極16を形成する工程で同一材料で同時に形成するのが望ましい。

Claim (excerpt)：

透明基板の内面に、対向電極の形成されたコモン電極基板と、透明基板の内面に、複数のTFT(薄膜トランジスタ)部をそれぞれ光学的に遮蔽するライトシールドが形成され、その上にTFTアレイ及び画素電極の形成されたTFTアレイ基板とを貼り合せて、その貼り合された両基板間に液晶を封入して成るアクティブマトリクス液晶表示素子において、前記各ライトシールドより一体に延長されてそのライトシールドにより遮蔽される前記TFT部に対応する前記画素電極の周縁を囲むように、ブラックマトリクスが前記ライトシールドと同一材料により前記TFTアレイ基板に形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス液晶表示素子。

IPC (3)：

G02F 1/1335 500 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-300742   Applicant：株式会社東芝