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J-GLOBAL ID：200903041584858250

多結晶シリコン製造用CVD反応器の清浄化法

Inventor： デイビッド・マイケル・ゴフネット ,  マーク・ダグラス・リチャードソン ,  ユージーン・フランシス・ビールビイ
Applicant, Patent owner： ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション
Agent (1)： ウオーレン・ジー・シミオール
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992243209
Publication number (International publication number)：1994216036
Application date： Sep. 11, 1992
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 多結晶シリコンの製造に使用される化学蒸着反応器内面の清浄化法の提供。【構成】 本法は被清浄化表面に固体の二酸化炭素ペレットを衝突させることからなる。二酸化炭素ペレットは、反応器の内面に損傷を与えることなく、かつ清浄化された反応器内で製造される多結晶シリコンの汚染源を提供することなく、反応器の内面からシリコンの付着物を除去する。本法は特に、半導体グレードのシリコンの製造に使用される化学蒸着反応器の内面の清浄化に有効である。

Claim (excerpt)：

シランおよびハロシランから成る群から選択した供給ガスを化学蒸着して多結晶シリコンを形成させるのに使用される反応器の内面上のシリコン付着物に二酸化炭素ペレットを衝突させてシリコン付着物を除去させる工程から成ることを特徴とする、化学蒸着反応器内面の清浄化法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/302 ,  C23G 5/00