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J-GLOBAL ID：200903041585753908

シリコン酸化膜の形成方法

Inventor： 宮田 典幸 ,  市川 昌和 ,  渡部 平司
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  株式会社日立製作所 ,  日本電気株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997342476
Publication number (International publication number)：1999176828
Application date： Dec. 12, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】 シリコン酸化膜の形成方法に関し、熱酸化膜のSiO2 /Si界面の原子レベルの荒れを低減する。【解決手段】 シリコン基板1を熱酸化してシリコン酸化膜4を形成する工程の前処理として、原子レベルで平坦な表面2を有するシリコン基板1の表面に保護酸化膜3を形成する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板を熱酸化してシリコン酸化膜を形成する工程の前処理として、原子レベルで平坦な表面を有する前記シリコン基板の表面に保護酸化膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (2)：

H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 301 F