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J-GLOBAL ID：200903041587287424

青色発光素子

Inventor： 中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993114544
Publication number (International publication number)：1994260683
Application date： May. 17, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：

【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体を利用した青色発光素子を高発光出力とし、さらにその発光波長を450nm〜490nmの高輝度の青色領域とできる実用的でしかも新規な構造を提供する。【構成】 第一のクラッド層としてn型Ga<SB>1-a</SB>Al<SB>a</SB>N(0≦a<1)層と、その上に発光層としてZn濃度が1×10<SP>17</SP>〜1×10<SP>21</SP>/cm<SP>3</SP>の範囲にあるIn<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但し、Xは0<X<0.5)層と、その上に第二のクラッド層としてMg濃度が1×10<SP>18</SP>〜1×10<SP>21</SP>/cm<SP>3</SP>の範囲にあるp型Ga<SB>1-b</SB>Al<SB>b</SB>N(0≦b<1)層とが順に積層された窒化ガリウム系化合物半導体を具備する。

Claim (excerpt)：

第一のクラッド層としてn型Ga<SB>1-a</SB>Al<SB>a</SB>N(0≦a<1)層と、その上に発光層としてZn濃度が1×10<SP>17</SP>〜1×10<SP>21</SP>/cm<SP>3</SP>の範囲にあるIn<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但し、Xは0<X<0.5)層と、その上に第二のクラッド層としてMg濃度が1×10<SP>18</SP>〜1×10<SP>21</SP>/cm<SP>3</SP>の範囲にあるp型Ga<SB>1-b</SB>Al<SB></SB><SB>b</SB>N(0≦b<1)層とが順に積層された窒化ガリウム系化合物半導体を具備することを特徴とする青色発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18