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J-GLOBAL ID：200903041592451607

パワーMOSFETスイッチのゲートドライブ

Inventor： マーク エリオット ジャコブズ ,  ヴィジャン ジョセフ トータヴェリル ,  ケネス ジョン ティム
Applicant, Patent owner： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995205098
Publication number (International publication number)：1996056145
Application date： Jul. 20, 1995
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】【課題】 パワーMOSFETスイッチのゲートドライブを提供する。【解決手段】分離MOSFETゲートドライブにおいては、不慮の接触ターンオンに対する耐性を増強するために、MOSFETのオフ時間において負のゲートバイアスを提供する回路を有する。バイアスは、その自身が2端子の受動ネットワークを含むことにより生成される。このネットワークは接地に対する任意のポテンシャルで流動できる。このバイアスは、外部バイアスによりこの電圧を提供する必要がなく、ゲートドライブ波形に対するネットワークの作用により自動的に生成される。このバイアス供給は局所に配置されて、回路動作に干渉する長い相互接続を不要とする。本発明の実施例によるバイアスネットワークはキャパシタと一定の電圧ブレークダウン特性を有する非線形半導体素子との結合により実現される。この二つの成分による構成は、高集積度なシステムを製造することが可能である。

Claim (excerpt)：

ゲートとソースとドレインとの電極を有するパワーMOSFETスイッチ(Q1)に対するゲートドライブおいて、パワーMOSFETスイッチを駆動するために、ドライブ電圧を接続されるドライブ回路に供給するため接続される2次巻きを含むドライブトランス(T1)を有し、このドライブ回路においては、ゲートとソースとドレインとの電極を有するドライブMOSFET(Q1)を含み、2次巻きに応答するために接続され、パワーMOSFETスイッチのゲート-ソース電圧を制御するために、そのドレイン-ソースが接続され、パワーMOSFETスイッチの疑似ターンオンを防止するため、ドライブMOSFET素子のドレイン-ソースをパワーMOSFETのゲート-ソースに接続するバイアス回路(C1、CR4)は極性の電圧差分を提供することを特徴とするパワーMOSFETスイッチのゲートドライブ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 電圧制御半導体スイッチ駆動回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-060555   Applicant：アーベーベー・パテント・ゲーエムベーハー
• 特開昭63-276319
  
• 特開昭61-242416