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J-GLOBAL ID：200903041601480828

半導体装置

Inventor： 岩上 信一 ,  町田 修 ,  馬場 良平
Applicant, Patent owner： サンケン電気株式会社
Agent (4)： 高橋 詔男 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  加藤 清志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004325089
Publication number (International publication number)：2006135241
Application date： Nov. 09, 2004
Publication date： May. 25, 2006
Summary：

【課題】 融点が高くかつ高温にて熱処理してもリーク電流の小さい電極材料を用いることで、リーク電流特性を向上させることができる窒化物系半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の窒化物系半導体装置は、Si基板1上に、AlN/GaNバッファ層2、アンドープGaN層3、n型AlGaN活性層4が順次積層され、n型AlGaN活性層4上に、Ti/Alのオーム性接触のソース電極5、Ti/Alのオーム性接触のドレイン電極6およびRhからなるショットキー接合のゲート電極7が形成されていることを特徴とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板と、 この基板の主面に形成された窒化物系化合物半導体からなる主半導体領域と、 この主半導体領域の表面に形成され、かつ該主半導体領域との界面にロジウムまたはロジウムを含む合金からなるショットキー接合を有する電極と を備えてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/417

FI (6)：

H01L29/48 D ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 M ,  H01L29/58 Z ,  H01L29/50 J ,  H01L29/48 M

F-Term (40)：

4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC03 ,  4M104DD29 ,  4M104DD78 ,  4M104FF07 ,  4M104FF10 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104GG12 ,  4M104HH20 ,  5F102FA01 ,  5F102GA17 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS02 ,  5F102GS04 ,  5F102GS08 ,  5F102GS09 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許第5192987号明細書