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J-GLOBAL ID：200903041621607549

半導体集積回路装置

Inventor： 徳永 謙二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992006204
Publication number (International publication number)：1993190538
Application date： Jan. 17, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 単結晶珪素からなる半導体基板1の表面の活性領域の周囲に選択酸化法でフィールド絶縁膜(酸化珪素膜)4を形成する半導体集積回路装置において、フィールド絶縁膜4のバーズビーク領域4Aと半導体基板1との界面1Aでの界面準位密度を低減し、接合リーク電流の減少を図る。【構成】 前記半導体集積回路装置において、前記半導体基板1の主面の結晶面を(110)面に設定し、前記活性領域の長方形状の長辺と一致する半導体基板1の結晶方位を〈001〉方位に設定する。

Claim (excerpt)：

単結晶珪素基板の主面の平面が方形状の活性領域の周囲に選択酸化法でフィールド酸化珪素膜を形成する半導体集積回路装置において、前記単結晶珪素基板の主面の結晶面を(110)面に設定し、前記活性領域の方形状の長辺と一致する単結晶珪素基板の結晶方位を〈001〉方位に設定したことを特徴とする半導体集積回路装置。