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J-GLOBAL ID：200903041630719694

蛍光検出装置

Inventor： 江本 文昭
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001362933
Publication number (International publication number)：2003161699
Application date： Nov. 28, 2001
Publication date： Jun. 06, 2003
Summary：

【要約】【課題】 蛍光発光強度を高感度で検出可能な小型の蛍光検出装置を提供する。【解決手段】 半導体基板7に、少なくとも1対のフォトダイオード80、80-1と、1対のフォトダイオードでそれぞれ光電変換された電荷を増幅する増幅用トランジスタ回路6、6-1とが形成され、半導体基板の上部に、1対のフォトダイオードの一方80に対向して蛍光材を含む溶液が導入される液槽13が形成された、透明材料からなる容器14と、1対のフォトダイオードの他方80-1および信号検出トランジスタ回路に対向して遮光層12、12-1、12-2とを設け、一方のフォトダイオードによる検出信号から他方のフォトダイオードによる検出信号を減算して、励起光16により励起された蛍光の強度を測定する。

Claim (excerpt)：

少なくとも1対のフォトダイオードと、前記1対のフォトダイオードでそれぞれ光電変換された電荷を入力とする信号検出トランジスタ回路と、前記1対のフォトダイオードおよび前記信号検出トランジスタ回路を駆動する入力端子と、前記信号検出トランジスタ回路からの検出電圧を出力する出力端子とが形成された半導体集積回路基板と、前記半導体集積回路基板の上部に、前記1対のフォトダイオードの一方に対向して蛍光材を含む溶液が導入される液槽が形成された、透明材料からなる容器とを有する蛍光検出装置であって、前記1対のフォトダイオードの他方および前記信号検出トランジスタ回路に対向して遮光層を具備したことを特徴とする蛍光検出装置。

IPC (6)：

G01N 21/64 ,  C12M 1/34 ,  G01N 21/78 ,  G01N 33/483 ,  G01N 33/53 ,  G01N 33/566

FI (6)：

G01N 21/64 F ,  C12M 1/34 B ,  G01N 21/78 C ,  G01N 33/483 C ,  G01N 33/53 M ,  G01N 33/566

F-Term (32)：

2G043AA01 ,  2G043AA04 ,  2G043BA16 ,  2G043CA04 ,  2G043DA02 ,  2G043EA01 ,  2G043GA01 ,  2G043GA07 ,  2G043GB01 ,  2G043LA01 ,  2G043NA13 ,  2G045AA35 ,  2G045DA13 ,  2G045FA11 ,  2G045FB02 ,  2G045FB12 ,  2G045JA07 ,  2G054AA06 ,  2G054AB02 ,  2G054BB13 ,  2G054CA22 ,  2G054EA03 ,  2G054FB01 ,  2G054GA04 ,  4B029AA07 ,  4B029BB01 ,  4B029BB15 ,  4B029BB20 ,  4B029CC04 ,  4B029FA15 ,  4B029GB10 ,  4B029HA10