Pat

J-GLOBAL ID：200903041641401734

半導体装置の製造方法

Inventor： 西本 佳嗣
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992073397
Publication number (International publication number)：1993235040
Application date： Feb. 25, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体層に含まれるシリコン未結合を効率的かつ十分に水素化することを第1の目的とし、水素雰囲気下での数回にわたる熱処理によっても、表面からの水素の流入を可能にし、いったん水素化された半導体層の水素化の度合が低下することを有効に防止することを第2の目的とする。【構成】 TFTを構成する半導体層6を、水素ラジカルが存在する雰囲気下で、熱処理することにより、半導体層6の水素化処理を行う。また、TFTを構成する半導体層6の表面に、層間絶縁層14,16を成膜し、この層間絶縁層14,16の表面にプラズマCVD法で窒化シリコン層を成膜し、その後、水素を含むガス中で半導体装置を熱処理することにより、半導体層6の水素化処理を行い、その後、少なくとも半導体層6におけるチャネル領域10の上部に位置する窒化シリコン層を除去する。

Claim (excerpt)：

薄膜トランジスタなどが形成される半導体層を有する半導体装置を製造する方法において、上記半導体層を、水素ラジカルが存在する雰囲気下で、熱処理することにより、半導体層の水素化処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/11

FI (2)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 27/10 381