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J-GLOBAL ID：200903041658065886

スタックト型DRAMのストレージノード電極の形成方法

Inventor： 獅子口 清一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993000443
Publication number (International publication number)：1994204426
Application date： Jan. 06, 1993
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】表面形状の良好でかつ表面積増加率の高い半球形状グレインからなるノープト多結晶シリコン膜に覆われたストレージノード電極の形成方法を提供する。【構成】リンドープトa-Si膜パターン209aの上面,および側面にアンドープトa-Si膜210a,211aを形成し、超高真空中でのシリコン分子線の照射によりアンドープトa-Si膜210a,211aの表面をアンドープトHSG-Si膜220,221に変換する。その後、非晶質シリコン膜を多結晶シリコン膜に変換する熱処理を施し、ストレージノード電極を形成する。

Claim (excerpt)：

一導電型のシリコン基板表面に選択的にフィールド酸化膜,およびゲート酸化膜を形成し、ワード線を兼る複数のゲート電極を形成し、逆導電型の複数のソース,ドレイン領域を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、それぞれの前記ドレイン領域に達する複数のノードコンタクト孔を形成する工程と、それぞれの前記ノードコンタクト孔を介してそれぞれの前記ドレイン領域に接続する複数の逆導電型のドープト非晶質シリコン膜パターンと、それぞれの前記ドープト非晶質シリコン膜パターンの上面,並びに側面を覆うアンドープト非晶質シリコン膜とを形成する工程と、前記アンドープト非晶質シリコン膜の表面を、半球形状の微細なグレインからなるアンドープト多結晶シリコン膜に変換する工程と、熱処理により、非晶質シリコン膜を多結晶シリコン膜に変換する工程と、を有することを特徴とするスタックト型DRAMのストレージノード電極の形成方法。

IPC (3)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/04