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J-GLOBAL ID：200903041673857390

量子井戸構造体

Inventor： 瀧口 治久 ,  高橋 向星 ,  マーチン デイ. ドーソン ,  ジェフリー ジュガン
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993120275
Publication number (International publication number)：1994334266
Application date： May. 21, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】量子井戸層内に電子および正孔を効率よく閉じ込めることが可能な量子井戸構造体を提供すること。【構成】第1のクラッド層102と、第2のクラッド層109と、該第1のクラッド層および第2のクラッド層の間に配置され交互に積層された、複数の量子井戸層103〜107および1つ以上のバリア層108とを含む量子井戸構造体。該複数の量子井戸層は、引っ張り歪を有する層、歪を有さない層、および圧縮歪を有する層からなる群から選択される少なくとも2つの層を含む。また、該複数の量子井戸層の各々において、伝導帯の電子の基底量子準位と価電子帯の正孔の基底量子準位との間のエネルギー差が実質的に同一となるように、該複数の量子井戸層の各々の層厚が選択されている。

Claim (excerpt)：

第1のクラッド層と、第2のクラッド層と、該第1のクラッド層および第2のクラッド層の間に配置され交互に積層された、複数の量子井戸層および1つ以上のバリア層とを包含する量子井戸構造体であって、ここで、該複数の量子井戸層は、引っ張り歪を有する層、歪を有さない層、および圧縮歪を有する層からなる群から選択される少なくとも2つの層を含み、そして、ここで、該複数の量子井戸層の各々において、伝導帯の電子の基底量子準位と価電子帯の正孔の基底量子準位との間のエネルギー差が実質的に同一となるように、該複数の量子井戸層の各々の層厚が選択されている、量子井戸構造体。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 多重量子井戸型半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-299448   Applicant：日本電気株式会社