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J-GLOBAL ID：200903041676566612

集積回路用金属膜形成方法

Inventor： 奥野 明実 ,  西尾 幹夫 ,  遠藤 政孝 ,  橋本 伸
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993241218
Publication number (International publication number)：1995099196
Application date： Sep. 28, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体配線形成に用いる無電解金属めっきの前処理において、半導体素子形成表面のみを液相で活性化することで、裏面への金属の堆積を防止し、その結果、次工程でのコンタミネーションを防止する。【構成】 バリヤメタル14を堆積したコンタクトホール18を有する半導体素子形成用ウエハー11を、スピンコーター12上で回転させながら前処理を行い、半導体素子形成表面のみを活性化する。このように表面処理されたウエハー11をめっき浴13に浸積することで、半導体素子形成表面全面のみに配線用金属15を堆積する。

Claim (excerpt)：

金属膜を形成すべき基板において、少なくともめっきを行うための活性化処理を液相で、基板の一主面にのみ行う工程と、前記活性化処理が施された基板を、無電解めっき処理槽内に設置し、活性化処理された面にのみ、金属膜を形成する工程とを備えた集積回路用金属膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  C23C 18/30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭58-166768
  
• 特開平4-123432
  
• 特開平4-316353
  
• 特開昭62-249455