集積回路用金属膜形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小鍜治明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993241218
Publication number (International publication number)：1995099196
Application date： Sep. 28, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】半導体配線形成に用いる無電解金属めっきの前処理において、半導体素子形成表面のみを液相で活性化することで、裏面への金属の堆積を防止し、その結果、次工程でのコンタミネーションを防止する。【構成】バリヤメタル14を堆積したコンタクトホール18を有する半導体素子形成用ウエハー11を、スピンコーター12上で回転させながら前処理を行い、半導体素子形成表面のみを活性化する。このように表面処理されたウエハー11をめっき浴13に浸積することで、半導体素子形成表面全面のみに配線用金属15を堆積する。

Claim (excerpt)：

金属膜を形成すべき基板において、少なくともめっきを行うための活性化処理を液相で、基板の一主面にのみ行う工程と、前記活性化処理が施された基板を、無電解めっき処理槽内に設置し、活性化処理された面にのみ、金属膜を形成する工程とを備えた集積回路用金属膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/3205 , C23C 18/30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開昭58-166768
特開昭58-166768
特開平4-123432

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