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J-GLOBAL ID：200903041679088070
プラズマ処理装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993055089
Publication number (International publication number)：1994244119
Application date： Feb. 20, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】 被処理体の裏面側にバックサイドガスを供給しながらプラズマ処理を行う場合、バックサイドガスのガス導入管を通じて下部電極とグランド部材との間で起こり得る放電を防止すること。【構成】 下部電極3とグランド部材41との間の絶縁体4内に位置するテフロンよりなるガス導入管5の中に、軸方向に伸びる多数の小径の通流孔61(71)を備えた2種類の円柱状のテフロンよりなる流路部材6、7を交互に嵌入する。バックサイドガスのガス流路の径が小さいので放電開始電圧が高くなり放電を防止でき、また通流孔61(71)は多数形成されているので大きなコンダクタンスを確保できる。
Claim (excerpt)：
上部電極と下部電極との間に高周波電力を供給して処理ガスをプラズマ化し、このプラズマにより下部電極上の被処理体をプラズマ処理する装置であって、下部電極の外方側に絶縁部を介して当該下部電極とは電位の異なる導電部材が配置されると共に、被処理体にバックサイドガスを供給するために導電部材から絶縁部を貫通して下部電極までガス流路部が形成されているプラズマ装置において、前記絶縁部に位置するガス流路部を、多数の小径の流路が形成されている絶縁材よりなる流路部材により構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3)：
H01L 21/205
, C23F 4/00
, H01L 21/302
