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J-GLOBAL ID：200903041679726688

半導体装置

Inventor： 伊藤 輝之
Applicant, Patent owner： 株式会社ルネサステクノロジ
Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006031514
Publication number (International publication number)：2007214285
Application date： Feb. 08, 2006
Publication date： Aug. 23, 2007
Summary：

【課題】半導体装置内での電源電圧の降下(IRドロップ)に起因する性能の低下を抑え易い半導体装置を得ること。【解決手段】半導体基板10と、この半導体基板に形成された回路素子20と、この回路素子と共に集積回路を構成する多数の配線が複数層に亘って形成された多層配線部50とを半導体基板上に形成して半導体装置100を得るにあたり、多層配線部に熱電発電部60A〜60Cを形成し、かつ個々の熱電発電部を多層配線部における所定の配線に接続する。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板に形成された回路素子と、前記回路素子と共に集積回路を構成する多数の配線が複数層に亘って形成された多層配線部と、前記多層配線部に設けられて該多層配線部における所定の配線と互いに接続された熱電発電部とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

H01L 35/30 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/32 ,  H01L 35/34 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (7)：

H01L35/30 ,  H01L21/88 Z ,  H01L35/16 ,  H01L35/32 A ,  H01L35/34 ,  H01L27/04 A ,  H01L27/04 D

F-Term (13)：

5F033GG02 ,  5F033GG03 ,  5F033UU01 ,  5F033VV04 ,  5F033VV05 ,  5F038AZ02 ,  5F038CA02 ,  5F038CA05 ,  5F038CA08 ,  5F038CA16 ,  5F038CD02 ,  5F038CD12 ,  5F038EZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 熱電発電素子および熱電発電素子を用いたモジュールおよび電子部品への給電方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-320897   Applicant：松下電器産業株式会社