薄膜トランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998032734
Publication number (International publication number)：1999233781
Application date： Feb. 16, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】絶縁基板上の逆スタガ型のTFTのオフ電流が小さくオン電流/オフ電流の比が大きくなり、高性能な液晶表示装置の形成が容易になるようにする。【解決手段】絶縁基板上にゲート電極(フロントゲート電極)、ゲート絶縁膜(第1のゲート絶縁膜)、島状に加工された半導体層、オーミックコンタクト層、ソース・ドレイン電極、パッシベーション膜(第2のゲート絶縁膜)、(バックゲート電極)を順次積層して形成される逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、パッシベーション膜あるいは第2のゲート絶縁膜と接する上記半導体層の表面に所定の溝が形成されている。ここで、上記溝は、TFTのソース/ドレイン間にあるチャネル方向に対して垂直方向あるいは平行方向に延び短冊形状となるように形成される。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、島状に加工された半導体層、オーミックコンタクト層、ソース・ドレイン電極、パッシベーション膜を順次積層して形成される逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、前記パッシベーション膜と接する前記半導体層の表面に所定の溝が形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/31 , H01L 29/78

FI (8)：

H01L 29/78 618 C , H01L 21/31 Z , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 N , H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 616 S , H01L 29/78 617 N , H01L 29/78 619 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開昭62-128177
三次元マルチチャンネル構造を有する薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-027830 Applicant：三星電子株式会社

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