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J-GLOBAL ID：200903041684039443

電極被覆材料、電極構造体、及び、半導体装置

Inventor： 村田 昌樹 ,  米屋 伸英 ,  木村 典生
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006315845
Publication number (International publication number)：2008130920
Application date： Nov. 22, 2006
Publication date： Jun. 05, 2008
Summary：

【課題】低いコンタクト抵抗、高い移動度を達成し得る半導体装置を提供する。【解決手段】ゲート電極13、ゲート絶縁層14、有機半導体材料層から構成されたチャネル形成領域16、及び、金属から成るソース/ドレイン電極15を有する電界効果型トランジスタから成る半導体装置において、チャネル形成領域16を構成する有機半導体材料層と接するソース/ドレイン電極15の部分は、電極被覆材料21で被覆されており、電極被覆材料21は、金属イオンと結合し得る官能基、及び、金属から成るソース/ドレイン電極15と結合する官能基を有する有機分子から成る。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

式(1)で示される有機分子から成り、 式(1)中の官能基Yが、金属から成る電極の表面と結合することを特徴とする電極被覆材料。

IPC (6)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 29/417

FI (10)：

H01L29/78 616V ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220D ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/28 370 ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/50 M

F-Term (77)：

4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD33 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD38 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD68 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  5F110AA03 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF24 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK34 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 薄膜トランジスタ・デバイスの構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-076201   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 低温薄膜トランジスタの作製方法およびトランジスタ・デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-064964   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション

Cited by examiner (3)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-283913   Applicant：ソニー株式会社
• 三端子素子の分子トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-172353   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-078396   Applicant：株式会社東芝

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• "Self-assembled multilayers of transition-metal-terpyridinyl complexes; formation, and characterizat