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J-GLOBAL ID：200903041693182429

気相成長方法及び装置

Inventor： 松本 功 ,  石原 良夫 ,  岡田 陽子
Applicant, Patent owner： 日本酸素株式会社
Agent (1)： 木戸 一彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996187610
Publication number (International publication number)：1998032169
Application date： Jul. 17, 1996
Publication date： Feb. 03, 1998
Summary：

【要約】【課題】 横型気相成長装置でモノシランを原料として用いた場合でも、8インチ以上の大口径の基板に均一な気相成長膜を形成することができる気相成長方法及び装置を提供する。【解決手段】 所定速度で回転する基板面に対して平行な方向に気相成長ガスを導入し、該基板面に気相成長膜を形成するにあたり、前記基板面における気相成長速度(成膜速度)を制御する制御ガスを基板外周部に向けて導入する。

Claim (excerpt)：

所定速度で回転する基板面に対して平行な方向に気相成長ガスを導入し、該基板面に気相成長膜を形成する気相成長方法において、前記基板面における気相成長速度を制御する制御ガスを、前記気相成長ガスの流速以下の流速で基板の外周部に向けて導入することを特徴とする気相成長方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/52 ,  C30B 25/14

FI (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 D ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/52 ,  C30B 25/14