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J-GLOBAL ID：200903041700797485

MIS型半導体装置及びその製造方法

Inventor： 近藤 洋文 ,  鎌田 幹夫 ,  秋本 克洋
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992135713
Publication number (International publication number)：1993160394
Application date： Apr. 30, 1992
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 MIS特性に優れ、しかも量産性に優れたMIS型半導体装置を提供する。【構成】 III -V族化合物半導体の表面に長鎖炭化水素基を有する硫黄含有有機化合物の薄層を設け、この上に金属層を形成する。長鎖炭化水素基を有する硫黄含有有機化合物のS原子は、化合物半導体の表面に吸着し、表面安定化効果を発揮する。また、長鎖炭化水素基を有する硫黄含有有機化合物の長鎖炭化水素基は、自己組織作用によって緻密な層を形成し、絶縁層として機能する。

Claim (excerpt)：

III -V族化合物半導体基体上に長鎖炭化水素基を有する硫黄含有有機化合物よりなる薄層が形成され、該薄層上に金属層が形成されてなるMIS型半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-222675
  
• 特開昭63-140576