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J-GLOBAL ID：200903041725620482
半導体センサの封止方法及び半導体センサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994018955
Publication number (International publication number)：1995209117
Application date： Jan. 18, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：
【要約】【目的】 圧力室若しくは検知室の気密性を高めた半導体センサを提供する。【構成】 円形状のダイアフラム1を支持させたフレーム2に窪み6を形成し、また窪み6からフレーム2の端部にわたる取出し部7を凹設する。窪み6の外周域のフレーム2上面には取出し部7に切れ目を有する円環状の封止溝15を凹設する。封止溝15及び取出し部7には上端面がフレーム2より高くなった封止部16をフッ素系樹脂などにより形成する。このフレーム2上面にカバー3を重ね、陽極接合法により接合して圧力センサAを作成する。カバー3の内面に設けた接続配線14は封止部16に埋入され、封止部16とカバー3とは隙間なく圧着される。【効果】 封止部16によりフレーム2とカバー3との隙間が封止され、圧力室12の気密性を高めることができる。
Claim (excerpt)：
検知部を支持させた検知基板の少なくとも一方に固定基板を接合し、前記検知基板と前記固定基板との間の前記検知部と接する空間を封止するための方法であって、前記検知基板と前記固定基板との間に設けた閉環状の封止手段により、前記検知部の周囲を封止することを特徴とする半導体センサの封止方法。
IPC (2)：
G01L 9/04 101
, H01L 29/84
