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J-GLOBAL ID：200903041726343474

結晶成長方法

Inventor： 松宮 康夫
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991344581
Publication number (International publication number)：1993175145
Application date： Dec. 26, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、化合物半導体の結晶成長技術のうち、原料ガスの交互供給を行う原子層エピタキシー法を用いた結晶成長方法に関し、III -V族化合物半導体結晶を原子層エピタキシー法を用いて成長させる際に、原料ガスの利用効率を向上させた結晶成長方法を提供することを目的とする。【構成】III 族の原料ガスとV族の原料ガスとを交互に供給して、半導体基板表面にIII -V族化合物半導体結晶を成長させる原子層エピタキシー法を用いた結晶成長方法において、結晶成長時に前記半導体基板表面に流れる前記V族の原料ガスの線速度を前記III 族の原料ガスの線速度よりも遅くするように構成する。

Claim (excerpt)：

III 族の原料ガスとV族の原料ガスとを交互に供給して、半導体基板表面にIII -V族化合物半導体結晶を成長させる原子層エピタキシー法を用いた結晶成長方法において、結晶成長時に前記半導体基板表面に流れる前記V族の原料ガスの線速度を前記III 族の原料ガスの線速度よりも遅くすることを特徴とする結晶成長方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/52 ,  C30B 23/02 ,  C30B 25/14