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J-GLOBAL ID：200903041727030887

複合高分子電解質膜及びその製造方法

Inventor：
浅野 洋一

About 浅野 洋一

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金岡 長之

About 金岡 長之

, 
齋藤 信広

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相馬 浩

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七海 昌昭

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Applicant, Patent owner：
本田技研工業株式会社

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Agent (1)： 高石 橘馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001012490
Publication number (International publication number)：2002216800
Application date： Jan. 19, 2001
Publication date： Aug. 02, 2002
Summary：
【要約】【課題】 温度及び湿度の変化によらず十分な発電性能を有し、かつ耐熱水性、耐酸化性及び耐クリープ性の高い複合高分子電解質膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】 複合高分子電解質膜は、イオン交換容量が高いスルホン化高分子化合物からなる母材と、イオン交換容量が低いスルホン化高分子化合物の繊維状物又は多孔質膜からなる補強材とを有する。スルホン化高分子化合物はいずれも非フッ素系スルホン化高分子化合物であり、またイオン交換容量が高いスルホン化高分子化合物とイオン交換容量が低いスルホン化高分子化合物はイオン交換容量を除いて同一の骨格構造を有する。イオン交換容量が低いスルホン化高分子化合物のスルホン酸基のH+は少なくとも部分的にNa+に置換されている。
Claim (excerpt)：
イオン交換容量が高いスルホン化高分子化合物からなる母材と、イオン交換容量が低いスルホン化高分子化合物の繊維状物又は多孔質膜からなる補強材とを有することを特徴とする複合高分子電解質膜。
IPC (7)：
H01M 8/02 ,  C08J 5/04 CEZ ,  C08J 5/22 CEZ ,  C08J 5/22 101 ,  H01B 1/06 ,  C08L 71:00 ,  C08L101:02
FI (7)：
H01M 8/02 P ,  C08J 5/04 CEZ ,  C08J 5/22 CEZ ,  C08J 5/22 101 ,  H01B 1/06 A ,  C08L 71:00 ,  C08L101:02
F-Term (36)：
4F071AA51 ,  4F071AD01 ,  4F071AD03 ,  4F071AF42 ,  4F071BB02 ,  4F071BC01 ,  4F071FA03 ,  4F071FA11 ,  4F071FB07 ,  4F071FC01 ,  4F071FC04 ,  4F071FC05 ,  4F071FC06 ,  4F071FC11 ,  4F071FD03 ,  4F072AB05 ,  4F072AB15 ,  4F072AC15 ,  4F072AD46 ,  4F072AD53 ,  4F072AG16 ,  4F072AH04 ,  4F072AH23 ,  4F072AK05 ,  4F072AL12 ,  5G301CD01 ,  5G301CD10 ,  5G301CE01 ,  5H026AA06 ,  5H026BB03 ,  5H026BB04 ,  5H026BB08 ,  5H026CX02 ,  5H026CX05 ,  5H026EE18 ,  5H026HH00
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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