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J-GLOBAL ID：200903041748882360

電力変換装置

Inventor：
林 善智

About 林 善智


Applicant, Patent owner：
富士電機株式会社

About 富士電機株式会社


Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000008065
Publication number (International publication number)：2001196542
Application date： Jan. 17, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：
【要約】【課題】超小型で、高性能で、半導体基板に反りが生じない超小型電力変換装置を提供する。【解決手段】半導体集積回路装置を形成したシリコン基板1上にIC保護膜2を介して平面型磁性誘導素子11を形成し、この平面型磁性誘導素子11の薄膜コイル6の上面に上部絶縁膜7を介して厚いフェライト磁性板8を形成する。厚いフェライト磁性板8とすることで、シリコン基板1の反りの発生を防止し、磁気誘導素子の特性を向上させる。また薄膜コイル6を直接シリコン基板1に固着することで小型化を図る。
Claim (excerpt)：
半導体基板に形成された半導体集積回路装置上に、第1絶縁膜を介して薄膜の受動部品が形成された超小型電力変換装置において、前記半導体集積回路装置上に、下部磁性体と上部磁性体で薄膜コイルを挟んだ構成の平面型磁気誘導素子を形成し、該平面型磁気誘導素子の前記半導体集積回路装置側に形成される前記下部磁性体が、磁性体薄膜で形成され、前記平面型磁気誘導素子の前記上部磁性体が、磁性体薄板で形成されることを特徴とする電力変換装置。
IPC (6)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01F 17/00 ,  H01G 4/33 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/06
FI (4)：
H01F 17/00 B ,  H01L 27/04 L ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/06 102 A
F-Term (31)：
5E070AA01 ,  5E070AA05 ,  5E070AB01 ,  5E070BA11 ,  5E070BA20 ,  5E070CB12 ,  5E070CB18 ,  5E070CB20 ,  5E070DB08 ,  5E070EA05 ,  5E082AB03 ,  5E082BB03 ,  5E082BC39 ,  5E082DD08 ,  5E082DD09 ,  5E082DD11 ,  5E082EE23 ,  5E082FG27 ,  5E082GG04 ,  5F038AC14 ,  5F038AV06 ,  5F038AZ04 ,  5F038BH10 ,  5F038BH20 ,  5F038CA10 ,  5F038DF03 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA07 ,  5F048AB10 ,  5F048AC03 ,  5F048BE03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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