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J-GLOBAL ID：200903041754365432

半導体素子

Inventor： 松浦 由紀 ,  中島 充雄 ,  三橋 浩 ,  川久 慶人
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996075622
Publication number (International publication number)：1997266316
Application date： Mar. 29, 1996
Publication date： Oct. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】画素の動作特性(オフリーク電流やしきい値電圧)のばらつきを抑え、画素の表示特性を向上させた画素・駆動一体型の半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明によれば、画素スイッチング用のTFTと比べ駆動回路用のTFTに結晶粒径の大きい多結晶半導体層をチャネルに用いることを骨子としており、特にこの結晶粒径を最良の範囲に規定している。

Claim (excerpt)：

同一基板上に駆動回路用の第1の多結晶薄膜トランジスタと、画素スイッチング用の第2の多結晶薄膜トランジスタとを有する半導体素子において、前記第1の多結晶薄膜トランジスタのチャネルが形成される半導体層が完全に溶融するエネルギー値以上でアモルファス化が生じない第1のエネルギー値のレーザー照射で結晶化され、且つ前記第2の多結晶薄膜トランジスタのチャネルが形成される半導体層が溶融し始め且つ前記第1のエネルギー値よりも小さい第2のエネルギー値で結晶化されることを特徴とする半導体素子。

IPC (6)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L 29/78 612 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 29/78 627 G