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J-GLOBAL ID：200903041758226232
半導体装置のバンプ形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992272581
Publication number (International publication number)：1994124953
Application date： Oct. 12, 1992
Publication date： May. 06, 1994
Summary：
【要約】【目的】 金バンプが形成された半導体装置を回路基板に歩留りよく実装し、かつリペア作業を容易に行なうため、半導体装置に、はんだを精度よく、かつ容易に供給する。【構成】 はんだに反応しない材質からなる平坦な転写プレート3の、半導体装置の金バンプ2に合致する位置に穴4を形成し、この穴部にクリームはんだを供給する。半導体装置をフェイスダウン状で、該プレート上に位置合わせ載置後リフローし、穴部はんだを半導体装置に供給する。
Claim (excerpt)：
半導体装置の複数の電極上に突起電極(バンプ)を形成する工程と、前記半導体装置の電極の位置に対応して転写プレート上に形成された所定の形状の複数の穴部にクリームはんだを供給する工程と、前記半導体装置の電極及び前記転写プレートの穴部の位置を合わせるように前記半導体装置と前記転写プレートの穴部を合致させ、前記クリームはんだをリフローする工程と、前記半導体装置を前記転写プレートより分離することにより周辺に前記クリームはんだが被覆されたバンプを形成する工程とを備えた半導体装置のバンプ形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/321
, H01L 21/28 301
H01L 21/92 F
, H01L 21/92 C
