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J-GLOBAL ID：200903041759961009

光導波路用ガラス膜の形成方法及びその装置

Inventor： 堀 彰弘 ,  井本 克之
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998074533
Publication number (International publication number)：1999271553
Application date： Mar. 23, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ガラス膜上でのパーティクルの発生がなく、屈折率制御用ドーパントの分布が均一な光導波路用ガラス膜の形成方法及びその装置を提供。【解決手段】 シャッタ8で基板6を覆った後、原料ガスを供給し、高周波電圧の印加によりプラズマ5を発生させ、このプラズマ5が安定した後、基板6上のシャッタ8を移動させて基板6が露出してから成膜を開始するので、プラズマの放電状態が安定してからの成膜となり、基板6のガラス膜表面に形成されるガラス膜上でのパーティクルの発生防止、ガラス膜中の屈折率制御用ドーパントの分布を均一にすることが可能となる。

Claim (excerpt)：

真空に保たれた低温プラズマ雰囲気中で基板の表面に、屈折率の低いガラス膜或いは屈折率の高いガラス膜を形成する光導波路用ガラス膜の形成方法において、上記基板をシャッタで覆った後、屈折率制御用ドーパントの蒸気ガス、有機オキシシランの蒸気ガス及び酸素ガスを吹き付けるか、または、屈折率制御用ドーパントの原料ガス、モノシランガス及び酸素ガスを吹き付けるか、あるいは、屈折率制御用ドーパントの蒸気ガス、有機オキシシランの蒸気ガス、酸素ガス、屈折率制御用ドーパントの原料ガス及びモノシランガスを併用して吹き付けると共に、上記基板が載置される下部電極と該下部電極に対向して該下部電極の上側に配置された上部電極との間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、このプラズマが安定状態になった後、上記シャッタを移動させて上記基板が露出してから成膜を開始することを特徴とする光導波路用ガラス膜の形成方法。

IPC (4)：

G02B 6/13 ,  C03B 19/14 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/50

FI (4)：

G02B 6/12 M ,  C03B 19/14 A ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/50